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本文標(biāo)題："最厚的CCD則擁有200μm～300μm的厚度"
新聞來(lái)源：未知 發(fā)布時(shí)間：2013-1-18 0:23:49 本站主頁(yè)地址：http://www.nhgjxq.cn
由于前照式CCD是經(jīng)由前方的多晶矽閘極受光，不可避免地，將有一部分的
入射光會(huì)在此損失。因此，對(duì)前照式CCD而言，在可見(jiàn)光波段只能提供約50%的量
子效率。另一方面，入射光卻是直接進(jìn)入背照式CCD的矽基板，在此無(wú)阻礙的情況
下，將顯著地提昇背照式CCD在可見(jiàn)光波段的量子效率，甚至在某些波段范圍內(nèi)可達(dá)
到90%以上的量子效率。在下圖1.7中將可見(jiàn)各自量子效率的表現(xiàn)
但令人可惜的是，即使是背照式CCD，在靠近較長(zhǎng)波長(zhǎng)約900nm及更紅波段處，
對(duì)由矽為所組成材料的CCD而言，都將漸漸地如同透明般被直接穿透，因而，紅外波
段的量子效率將大大地衰減至10%以下。并且在此波長(zhǎng)較長(zhǎng)的波段范圍，將會(huì)由于干
涉效應(yīng)的干擾產(chǎn)生條紋圖案(fringe pattern)的問(wèn)題，此一影響將對(duì)測(cè)光分析的精準(zhǔn)性帶
來(lái)重大差異。在圖1.8中將可看見(jiàn)，在波長(zhǎng)增長(zhǎng)的情況下，條紋圖案的干擾也越明顯嚴(yán)
重
如今在半導(dǎo)體制成技術(shù)與時(shí)漸進(jìn)日益成熟的提升下，終于成功開(kāi)發(fā)新一代CCD。
所以更進(jìn)一步地，背照式CCD又可依矽基板的厚度將之分成傳統(tǒng)的薄型CCD、深空
乏層型(Deep Depletion)CCD及全空乏層型(Fully Depleted)CCD。薄型CCD主要厚度
介在15μm～20μm之間。深空乏層型CCD的厚度約為40μm～80μm。而最厚的全空乏
型CCD則擁有200μm～300μm的厚度。
在增加矽基板厚度的條件下，意味著光子行走的路徑也將增長(zhǎng)，進(jìn)而提高了近紅
外光在矽中被吸收的機(jī)率。因此，在針對(duì)背照式CCD厚度的改良下，在近紅外波段的
量子效率將大幅地提昇。在圖1.7中也可見(jiàn)，深空乏層型CCD在波長(zhǎng)較長(zhǎng)的波段范圍中
的量子效率有極明顯的提升。更甚之，在近紅外波長(zhǎng)約1000 nm處，對(duì)照此波段下傳統(tǒng)
薄型CCD與全空乏型CCD的量子效率，甚至達(dá)到數(shù)倍的差異。
另一方面，也由于矽基板厚度的增加，對(duì)深空乏層型CCD及全空乏型CCD來(lái)說(shuō)，
在近紅外長(zhǎng)波長(zhǎng)波段將改善或消除由干涉效應(yīng)所帶來(lái)的條紋圖案之影響
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