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本文標(biāo)題："多晶材料里各不同晶格排列取向的晶粒之間"
新聞來源：未知 發(fā)布時間：2016-12-8 0:38:30 本站主頁地址：http://www.nhgjxq.cn
多晶材料里各不同晶格排列取向的晶粒之間
晶體缺陷
在一個理想晶體內(nèi)部．原子有規(guī)律地沿三度空間呈有序的、無
限周期重復(fù)性排列。但是在實際晶體中，由于晶體形成條件、原子
的熱運動及其他條件的影響，原子的排列不可能這樣規(guī)則或完整，
而是或多或少地存在著偏離理想結(jié)構(gòu)的區(qū)域，出現(xiàn)了局部的不完整
性。通常將這種偏離完整性點陣結(jié)構(gòu)的區(qū)域稱為晶體缺陷。譬如，
在多晶材料里各不同品格排列取向的晶粒之間存在著晶界，在晶界
處原子的排列偏離完全有序的、周期重復(fù)性的點陣結(jié)構(gòu)而出現(xiàn)錯亂
的現(xiàn)象。晶體缺陷直接影響材料的性質(zhì)，并且晶體缺陷的形核與運
動是材料塑性變形的一種重要模式。
①點缺陷：僅局限在一個原子大小的晶體結(jié)構(gòu)不完整性。理想
晶體中的一些原子被雜質(zhì)原子替代（雜質(zhì)原子替位缺陷），或者額
外的原子充填晶格間隙（自間隙原子缺陷），或者缺失（空位缺陷
），從而破壞了有規(guī)則的周期性排列，引起質(zhì)點間勢場的畸變。
②線缺陷：在幾個原子間距的范圍內(nèi)沿著品格中某條線的周圍
出現(xiàn)的晶體結(jié)構(gòu)不完整性。線缺陷的主要表現(xiàn)形式是位錯。
③面缺陷：在幾個原子間距的范圍內(nèi)沿著品格內(nèi)或晶粒間的某
個面出現(xiàn)的晶體結(jié)構(gòu)不完整性。面缺陷的主要表現(xiàn)形式有堆垛層錯
(Stacking Fault)以及晶體內(nèi)和晶體間的各種界面。
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